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IS61WV5128BLL-10TI

更新时间： 2024-11-12 12:08:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
26页	586K
描述
512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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IS61WV5128BLL-10TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.008 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS61WV5128BLL-10TI 数据手册

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IS61WV5128ALL/ALS

IS61WV5128BLL/BLS

IS64WV5128BLL/BLS

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

AUGUST 2009

FEATURES

DESCRIPTION

HIGH SPEED: (IS61/64WV5128ALL/BLL)

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10,ꢀ20ꢀns

•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ85ꢀmWꢀ(typical)

The ISSI IS61WV5128Axx and IS61/64WV5128Bxx

are very high-speed, low power, 524,288-word by

8-bit CMOS static RAMs. The IS61WV5128Axx and

IS61/64WV5128Bxx are fabricated using ISSI's high-

performance CMOS technology.This highly reliable pro-

cess coupled with innovative circuit design techniques,

yields higher performance and low power consumption

devices.

•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ7ꢀmWꢀ(typical)

CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV5128ALS/BLS)

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ25,ꢀ35ꢀns

•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ35ꢀmWꢀ(typical)

When CE is HIGH (deselected), the device assumes

a standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ0.6ꢀmWꢀ(typical)

CMOS standby

The IS61WV5128Axx and IS61/64WV5128Bxx operate

from a single power supply.

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply

— V^{d d}1.65V to 2.2V (IS61WV5128Axx)

— V^{d d}2.4V to 3.6V (IS61/64WV5128Bxx)

TheIS61WV5128ALLandIS61/64WV5128BLLareavail-

able in 36-pin 400-mil SOJ, 36-pin mini BGA, and 44-pin

TSOP (Type II) packages.

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀ

required

The IS61WV5128ALS and IS61/64WV5128BLS are

available in 32-pinTSOP (Type I), 32-pin sTSOP (Type I),

32-pin SOP and 32-pin TSOP (Type II) packages.

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A18

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. I

08/10/09

12 3 4 5 6 7...26

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与IS61WV5128BLL-10TI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61WV5128BLL-10TL	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
IS61WV5128BLL-10TLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV5128BLL-10TLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
IS61WV5128BLS-25TLI	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
IS61WV5128EDBLL	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
IS61WV5128EDBLL-10KLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

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