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IS61WV5128BLL-10BI

更新时间： 2024-09-18 12:08:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
26页 586K
描述
512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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IS61WV5128BLL-10BI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA36,6X8,30针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.59
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B36JESD-609代码：e0
长度：8 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：36字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA36,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8/2 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.008 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：6 mm
Base Number Matches：1

IS61WV5128BLL-10BI 数据手册

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IS61WV5128ALL/ALS  
IS61WV5128BLL/BLS  
IS64WV5128BLL/BLS  
512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM  
AUGUST 2009  
FEATURES  
DESCRIPTION  
HIGH SPEED: (IS61/64WV5128ALL/BLL)  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10,ꢀ20ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ85ꢀmWꢀ(typical)  
The ISSI IS61WV5128Axx and IS61/64WV5128Bxx  
are very high-speed, low power, 524,288-word by  
8-bit CMOS static RAMs. The IS61WV5128Axx and  
IS61/64WV5128Bxx are fabricated using ISSI's high-  
performance CMOS technology.This highly reliable pro-  
cess coupled with innovative circuit design techniques,  
yields higher performance and low power consumption  
devices.  
•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ7ꢀmWꢀ(typical)  
CMOS standby  
LOW POWER: (IS61/64WV5128ALS/BLS)  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ25,ꢀ35ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ35ꢀmWꢀ(typical)  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes  
a standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ0.6ꢀmWꢀ(typical)  
CMOS standby  
The IS61WV5128Axx and IS61/64WV5128Bxx operate  
from a single power supply.  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply  
— Vd d 1.65V to 2.2V (IS61WV5128Axx)  
— Vd d 2.4V to 3.6V (IS61/64WV5128Bxx)  
TheIS61WV5128ALLandIS61/64WV5128BLLareavail-  
able in 36-pin 400-mil SOJ, 36-pin mini BGA, and 44-pin  
TSOP (Type II) packages.  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀ  
required  
The IS61WV5128ALS and IS61/64WV5128BLS are  
available in 32-pinTSOP (Type I), 32-pin sTSOP (Type I),  
32-pin SOP and 32-pin TSOP (Type II) packages.  
•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs  
•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
512K X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A18  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
CONTROL  
CIRCUIT  
OE  
WE  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without  
notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-  
est version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. I  
08/10/09  
1234567...26

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IS61WV5128BLL-10BI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS61WV5128BLL-10BLI ISSI

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 512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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