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IS61WV20488CLL-8T PDF预览

IS61WV20488CLL-8T

更新时间： 2024-09-23 19:25:43
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 101K
描述
Standard SRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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IS61WV20488CLL-8T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：PLASTIC, TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.8
最长访问时间：8 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.415 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS61WV20488CLL-8T 数据手册

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IS61WV20488ALL IS64WV20488BLL  
IS61WV20488BLL  
®
IS61WV20488CLL  
ISSI  
2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM  
PRELIMINARYINFORMATION  
OCTOBER2005  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• High-speed access times:  
8, 10, 20 ns  
TheISSIIS61WV20488ALL/BLL/CLLand  
IS64WV20488BLLareveryhigh-speed, lowpower, 2M-  
word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61WV20488ALL/  
BLL/CLLandIS64WV20488BLLarefabricatedusing  
ISSI's high-performance CMOS technology. This highly  
reliable process coupled with innovative circuit design  
techniques, yields higher performance and low power  
consumption devices.  
• High-performance, low-power CMOS process  
• Multiple center power and ground pins for  
greater noise immunity  
• Easy memory expansion with CE and OE  
options  
• CE power-down  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
TheIS61WV20488ALL/BLL/CLLandIS64WV20488BLL  
operate from a single power supply and all inputs are  
TTL-compatible.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single power supply  
VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV20488ALL) (20ns)  
VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV20488BLL) (10ns)  
VDD 3.3V + 10% (IS61WV20488CLL) (8ns)  
• Packages available:  
TheIS61WV20488ALL/BLL/CLLandIS64WV20488BLL  
are available in 48 ball mini BGA and 44-pin TSOP  
(Type II) packages.  
–
48-ball miniBGA (9mm x 11mm)  
– 44-pin TSOP (Type II)  
• Industrial and Automotive Temperature Support  
• Lead-free available  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
2M X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A20  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. 00A  
1
09/30/05  
1234567...19

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与IS61WV20488CLL-8T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61WV20488FALL-20TLI ISSI

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 		Standard SRAM, 2MX8, 20ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS61WV25616ALL ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616ALL/ALS ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616ALL-20BI ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616ALL-20BI-TR ISSI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PBGA48
IS61WV25616ALL-20TI ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616ALL-20TLI ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616ALS-45TLI ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616BLL/BLS ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV25616BLL-10BI ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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