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IS61SP6464-5TQ

更新时间： 2024-11-19 14:51:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	890K
描述
Cache SRAM, 64KX64, 5ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, TQFP-128

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IS61SP6464-5TQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 20 MM, TQFP-128	针数：	128
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G128	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	64
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	128	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP128,.63X.87,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

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