Datasheet > 存储 > SRAM> IS61LV12816-10B

IS61LV12816-10B

更新时间： 2024-11-19 21:54:03

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	146K
描述
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61LV12816-10B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

IS61LV12816-10B 数据手册

IS61LV12816

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV12816 is a high-speed, 2,097,152-bit static

RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated

using ICSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power

consumption.

High-speed access time: 8, 10, 12, and 15 ns

CMOS low power operation

TTL and CMOS compatible interface levels

Single 3.3V + 10%power supply

Fully static operation: no clock or refresh

required

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby

mode at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Three state outputs

Data control for upper and lower bytes

Industrial temperature available

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

The IS61LV12816 is packaged in the JEDEC standard 44-pin

400mil SOJ, 44-pin 400mil TSOP-2, and 48-pin 6*8mm TF-

BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution, Inc.

SR023_0C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS61LV12816-10BI	ISSI	获取价格	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816-10K	ISSI	获取价格	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816-10K	ICSI	获取价格	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV12816-10KI	ISSI	获取价格	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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