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IS61LSCS25672-200B

更新时间： 2024-01-14 04:26:00

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	194K
描述
Standard SRAM, 256KX72, 3.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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IS61LSCS25672-200B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209	针数：	209
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	3.1 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B209	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	209	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX72	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IS61LSCS25672-200B 数据手册

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IS61LSCS25672

IS61LSCS51236

ISSI

ADVANCE INFORMATION

SRAM 256K X 72, 512K X 36

JUNE 2002

18MB SYNCHRONOUS SRAM

FEATURES

• JEDEC SigmaRam pinout and package standard

• Single 1.8V power supply (V^CC): 1.7V (min)

to 1.9V (max)

• Dedicated output supply voltage (V^CCQ): 1.8V

or 1.5V typical

• LVCMOS-compatibleI/Ointerface

• Common data I/O pins (DQs)

• Single Data Rate (SDR) data transfers

• Late Write Pipelined (PL) read operations

• Burst and non-burst read and write operations,

selectable via dedicated control pin (ADV)

• Internally controlled Linear Burst address

sequencing during burst operations

Bottom View

• Full read/write coherency

• Byte write capability

209-Ball, 14 mm x 22 mm BGA

1 mm Ball Pitch, 11 x 19 Ball Array

• Two cycle deselect

SIGMARAM FAMILY OVERVIEW

• Single-ended input clock (CLK)

• Data-referenced output clocks (CQ/, CQ)

The IS61LSCS series SRAMs are built in compliance with

the SigmaRAM pinout standard for synchronous SRAMs.

The implementations are 18,874,368-bit (18Mb) SRAMs.

These are the first in a family of wide, very low voltage CMOS

I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking

systems.

• Selectable output driver impedance via dedicated

control pin (ZQ)

• Echo clock outputs track data output drivers

• Depth expansion capability (2 or 4 banks) via

programmable chip enables (E2, E3, EP2, EP3)

ISSIs SRAMs are offered in a number of configurations that

emulate other synchronous SRAMs, such as Burst RAMs,

NBTRAMs, LateWrite, orDoubleDataRate(DDR)SRAMs.

The logical differences between the protocols employed by

these RAMs hinge mainly on various combinations of

address bursting, output data registering and write cueing.

• JTAG boundary scan (subset of IEEE standard

1149.1)

• 209 Ball (11x19), 1mm pitch, 14mm x 22mm Ball

Grid Array (BGA) package

SRAMs allow a user to implement the interface protocol best

suited to the task at hand.

This specific product is Common I/O, SDR, Pipelined, and

in the family is identified as 1x1Lp.

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

ADVANDED INFORMATION Rev. 00A

06/13/02

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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