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IS43DR16320-37CBL PDF预览

IS43DR16320-37CBL

更新时间： 2024-09-17 19:38:07
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 860K
描述
DDR DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA84, 13 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-84

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IS43DR16320-37CBL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DSBGA
包装说明：TFBGA,针数：84
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.34
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PBGA-B84JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：84字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.5 mmBase Number Matches：1

IS43DR16320-37CBL 数据手册

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IS43DR86400, IS43/46DR16320  
PRELIMINARY INFORMATION  
NOVEMBER 2009  
512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM  
FEATURES  
•
•
•
•
•
•
Clock frequency up to 400MHz  
•
On‐Chip DLL aligns DQ and DQs transitions with  
CK transitions  
Differential clock inputs CK and CK#  
VDD and VDDQ = 1.8V ± 0.1V  
PASR (Partial Array Self Refresh)  
SSTL_18 interface  
Posted CAS  
•
•
•
•
•
•
•
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 and 6  
Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4 and 5  
Write Latency = Read Latency‐1  
Programmable Burst Sequence: Sequential or  
Interleave  
tRAS lockout supported  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Programmable Burst Length: 4 and 8  
Automatic and Controlled Precharge Command  
Power Down Mode  
Read Data Strobe supported (x8 only)  
Internal four bank operations with single pulsed  
RAS  
•
Operating temperature:  
Auto Refresh and Self Refresh  
Commercial (TA = 0°C to +70°C ; TC = 0°C to 85°C)  
Industrial (TA = ‐40°C to +85°C; TC = ‐40°C to 95°C)  
Automotive, A1 (TA = ‐40°C to +85°C; TC = ‐40°C to  
95°C)  
Refresh Interval: 7.8 μs (8192 cycles/64 ms)  
OCD (Off‐Chip Driver Impedance Adjustment)  
ODT (On‐Die Termination)  
Weak Strength Data‐Output Driver Option  
Bidirectional differential Data Strobe (Single‐  
ended data‐strobe is an optional feature)  
OPTIONS  
ADDRESS TABLE  
Parameter  
64Mx8  
A0‐A13  
A0‐A9  
BA0‐BA1  
A10  
32Mx16  
A0‐A12  
A0‐A9  
BA0‐BA1  
A10  
• Configuration:  
Row Addressing  
Column Addressing  
Bank Addressing  
Precharge Addressing  
−
−
64Mx8 (16M x 8 x 4 banks)  
32Mx16 (8M x 16 x 4 banks)  
• Package:  
−
−
60‐ball FBGA for x8  
84‐ball FBGA for x16  
Clock Cycle Timing  
‐5B  
‐37C  
‐3D  
‐25E  
‐25D  
Units  
Speed Grade  
CL‐tRCD‐tRP  
tCK (CL=3)  
DDR2‐400B  
DDR2‐533C  
DDR2‐667D  
DDR2‐800E  
DDR2‐800D  
3‐3‐3  
5
5
4‐4‐4  
5
3.75  
5‐5‐5  
5
3.75  
6‐6‐6  
5
3.75  
5‐5‐5  
5
3.75  
tCK  
ns  
ns  
tCK (CL=4)  
tCK (CL=5)  
5
5
3.75  
3.75  
266  
3
3
3
2.5  
2.5  
400  
ns  
ns  
tCK (CL=6)  
2.5  
400  
Frequency (max)  
200  
333  
MHz  
Note: The ‐5B device specification is shown for reference only.  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without  
notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the  
latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –  
1
Rev. 00A, 11/17/2009  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS43DR16320-3DBL ISSI

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 		DDR DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA84, 13 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-84
IS43DR16320-3DBLI ISSI

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 		DDR DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA84, 13 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-84
IS43DR16320B-25DBI ISSI

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 		512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR16320B-25DBL ISSI

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 		512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
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 		512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR16320B-25DBLI-TR ISSI

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 		暂无描述
IS43DR16320B-25DBL-TR ISSI

获取价格

 		DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD
IS43DR16320B-25EBL ISSI

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 		512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR16320B-25EBLI ISSI

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 		512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IS43DR16320B-25EBL-TR ISSI

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 		DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD

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