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IS42S16400L-8T

更新时间： 2024-11-05 15:43:03

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
68页	1489K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54,

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IS42S16400L-8T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最长访问时间：	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS42S16400L-8T 数据手册

IS42S8800/IS42S8800L

IS42S16400/IS42S16400L

2(1)M Words x 8(16) Bits x 4 Banks (64-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The IS42S8800 and IS42S16400 are high-speed 67,

108,864-bit synchronous dynamic random-access

moeories, organized as 2,097,152 x 8 x 4 and 1,048,

576 x 16 x 4 (word x bit x bank), respectively.

Single 3.3V (± 0.3V) power supply

High speed clock cycle time -7: 133MHz<3-3-3>,

-8: 100MHz<2-2-2>

Fully synchronous operation referenced to clock

rising edge

The synchronous DRAMs achieved high-speed data

transfer using the pipeline architecture and clock

frequency up to 133MHz for -7. All input and outputs

are synchronized with the postive edge of the clock.

The synchronous DRAMs are compatible with Low

Voltage TTL (LVTTL).These products are pack-aged

in 54-pin TSOP-2.

Possible to assert random column access in

every cycle

Quad internal banks contorlled by A12 & A13

(Bank Select)

Byte control by LDQM and UDQM for

IS42S16400

Programmable Wrap sequence (Sequential /

Interleave)

Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full

page)

Programmable /CAS latency (2 and 3)

Automatic precharge and controlled precharge

CBR (Auto) refresh and self refresh

X8, X16 organization

LVTTL compatible inputs and outputs

4,096 refresh cycles / 64ms

Burst termination by Burst stop and Precharge

command

Package 400mil 54-pin TSOP-2

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

DR007-0A

12 3 4 5 6 7...68

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16400L-8TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16800-5BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-5BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-5TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-5TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-6BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-75EBL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-75EBLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-75ETL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-75ETLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54

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