Datasheet > IS42S16400L-7TI

IS42S16400L-7TI

更新时间： 2024-09-17 15:43:03

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
68页	1489K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS42S16400L-7TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS42S16400L-7TI 数据手册

IS42S8800/IS42S8800L

IS42S16400/IS42S16400L

2(1)M Words x 8(16) Bits x 4 Banks (64-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The IS42S8800 and IS42S16400 are high-speed 67,

108,864-bit synchronous dynamic random-access

moeories, organized as 2,097,152 x 8 x 4 and 1,048,

576 x 16 x 4 (word x bit x bank), respectively.

Single 3.3V (± 0.3V) power supply

High speed clock cycle time -7: 133MHz<3-3-3>,

-8: 100MHz<2-2-2>

Fully synchronous operation referenced to clock

rising edge

The synchronous DRAMs achieved high-speed data

transfer using the pipeline architecture and clock

frequency up to 133MHz for -7. All input and outputs

are synchronized with the postive edge of the clock.

The synchronous DRAMs are compatible with Low

Voltage TTL (LVTTL).These products are pack-aged

in 54-pin TSOP-2.

Possible to assert random column access in

every cycle

Quad internal banks contorlled by A12 & A13

(Bank Select)

Byte control by LDQM and UDQM for

IS42S16400

Programmable Wrap sequence (Sequential /

Interleave)

Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full

page)

Programmable /CAS latency (2 and 3)

Automatic precharge and controlled precharge

CBR (Auto) refresh and self refresh

X8, X16 organization

LVTTL compatible inputs and outputs

4,096 refresh cycles / 64ms

Burst termination by Burst stop and Precharge

command

Package 400mil 54-pin TSOP-2

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

DR007-0A

12 3 4 5 6 7...68

中文翻译

下载PDF

与IS42S16400L-7TI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16400L-8T	ICSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54,
IS42S16400L-8T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-8TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16800-5BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-5BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-5TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-5TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
IS42S16800-6BL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-75EBL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
IS42S16800-75EBLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54

与IS42S16400L-7TI相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

15
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

14
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

93
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

82

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS42S16400L-7TI

IS42S16400L-7TI 技术参数

IS42S16400L-7TI 数据手册

与IS42S16400L-7TI相关器件

与IS42S16400L-7TI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS42S16400L-7TI

IS42S16400L-7TI 技术参数

IS42S16400L-7TI 数据手册

与IS42S16400L-7TI相关器件

与IS42S16400L-7TI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？