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IS42S16400J-7TLI

更新时间： 2024-09-17 20:47:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1383K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

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IS42S16400J-7TLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.1
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e3
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	反向引出线：	NO
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS42S16400J-7TLI 数据手册

IS42S16400J

IS45S16400J

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

JULY 2014

FEATURES

OVERVIEW

ISSI'sꢀ64MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀ1,048,576ꢀ

bitsꢀ xꢀ 16-bitꢀ xꢀ 4-bankꢀ forꢀ improvedꢀ performance.ꢀ Theꢀ

synchronousꢀ DRAMsꢀ achieveꢀ high-speedꢀ dataꢀ transferꢀ

using pipeline architecture. All inputs and outputs signals

refer to the rising edge of the clock input.

•ꢀ Clock frequency: 200, 166, 143, 133 MHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply

•ꢀ LVTTLꢀinterface

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

KEY TIMING PARAMETERS

– (1, 2, 4, 8, full page)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Parameter

-5

-6

-7

Unit

Sequential/Interleave

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

5ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

6ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

7ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Selfꢀrefreshꢀmodes

•ꢀ Autoꢀrefreshꢀ(CBR)

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

200ꢀ

133ꢀ

ꢀ

•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀmsꢀ(Com,ꢀInd,ꢀA1ꢀ

166ꢀ

133ꢀ

143ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

grade) or 16ms (A2 grade)

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

4.8ꢀ

5.4ꢀ

nsꢀ

•ꢀ ProgrammableꢀCAS latency (2, 3 clocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ADDRESS TABLE

OPTIONS

Parameter

4M x 16

•ꢀ Package:

Conﬁguration

1M x 16 x 4

54-pinꢀTSOPꢀII

banks

54-ballꢀTF-BGAꢀ(8mmꢀxꢀ8mm)

60-ballꢀTF-BGAꢀ(10.1mmꢀxꢀ6.4mm)

Refresh Count

Com./Ind. 4K/64ms

A1 4K/64ms

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange

Commercial (0^oC to +70^oC)

A2 4K/16ms

Industrial (-40^oC to +85^oC)

Row Addresses

A0-A11

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oC to +85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oC to +105^oC)

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A7

BA0, BA1

A10/AP

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device speciﬁcation before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be ex-

pected to cause failure of the life support system or to signiﬁcantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon

Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. G

7/30/2014

12 3 4 5 6 7...60

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IS42S16400J-7TLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS45S16400E-7TLA1	ISSI	完全替代	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400J-6TL	ISSI	类似代替	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400F-7TLI	ISSI	类似代替	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

与IS42S16400J-7TLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16400J-7TLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
IS42S16400J-7TL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
IS42S16400L	ICSI	获取价格	2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram
IS42S16400L-10T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-10TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-6T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-7T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-7TI	ICSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54,
IS42S16400L-7TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-8T	ICSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54,

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