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IS42S16400J-7TL-TR

更新时间： 2024-11-07 22:58:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1462K
描述
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16400J-7TL-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	2.28
最长访问时间：	5.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IS42S16400J-7TL-TR 数据手册

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IS42S16400J

IS45S16400J

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

JULY 2014

FEATURES

OVERVIEW

ISSI'sꢀ64MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀ1,048,576ꢀ

bitsꢀ xꢀ 16-bitꢀ xꢀ 4-bankꢀ forꢀ improvedꢀ performance.ꢀ Theꢀ

synchronousꢀ DRAMsꢀ achieveꢀ high-speedꢀ dataꢀ transferꢀ

using pipeline architecture. All inputs and outputs signals

refer to the rising edge of the clock input.

•ꢀ Clock frequency: 200, 166, 143, 133 MHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply

•ꢀ LVTTLꢀinterface

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

KEY TIMING PARAMETERS

– (1, 2, 4, 8, full page)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Parameter

-5

-6

-7

Unit

Sequential/Interleave

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

5ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

6ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

7ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Selfꢀrefreshꢀmodes

•ꢀ Autoꢀrefreshꢀ(CBR)

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

200ꢀ

133ꢀ

ꢀ

•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀmsꢀ(Com,ꢀInd,ꢀA1ꢀ

166ꢀ

133ꢀ

143ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

grade) or 16ms (A2 grade)

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

4.8ꢀ

5.4ꢀ

nsꢀ

•ꢀ ProgrammableꢀCAS latency (2, 3 clocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ADDRESS TABLE

OPTIONS

Parameter

4M x 16

•ꢀ Package:

Conﬁguration

1M x 16 x 4

54-pinꢀTSOPꢀII

banks

54-ballꢀTF-BGAꢀ(8mmꢀxꢀ8mm)

60-ballꢀTF-BGAꢀ(10.1mmꢀxꢀ6.4mm)

Refresh Count

Com./Ind. 4K/64ms

A1 4K/64ms

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange

Commercial (0^oC to +70^oC)

A2 4K/16ms

Industrial (-40^oC to +85^oC)

Row Addresses

A0-A11

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oC to +85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oC to +105^oC)

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A7

BA0, BA1

A10/AP

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device speciﬁcation before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be ex-

pected to cause failure of the life support system or to signiﬁcantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon

Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. G

7/30/2014

12 3 4 5 6 7...60

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IS42S16400J-7TL-TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16400J-7TL	ISSI	类似代替	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
IS42S16400F-7TL-TR	ISSI	类似代替	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

与IS42S16400J-7TL-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16400L	ICSI	获取价格	2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram
IS42S16400L-10T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-10TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-6T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-7T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-7TI	ICSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54,
IS42S16400L-7TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-8T	ICSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54,
IS42S16400L-8T	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54
IS42S16400L-8TI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP2-54

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