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IS42S16400F-5BLI

更新时间： 2024-09-17 19:31:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	1324K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54

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IS42S16400F-5BLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.65
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS42S16400F-5BLI 数据手册

IS42S16400F

IS45S16400F

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

DECEMBER 2011

FEATURES

OVERVIEW

ISSI'sꢀ64MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀ1,048,576ꢀ

bitsꢀ xꢀ 16-bitꢀ xꢀ 4-bankꢀ forꢀ improvedꢀ performance.ꢀ Theꢀ

synchronousꢀ DRAMsꢀ achieveꢀ high-speedꢀ dataꢀ transferꢀ

usingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀAllꢀinputsꢀandꢀoutputsꢀsignalsꢀ

referꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ200,ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positiveꢀclockꢀedge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply

•ꢀ LVTTLꢀinterface

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ

Sequential/Interleave

Parameter

-5

-6

-7

Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

5ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

6ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

7ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Selfꢀrefreshꢀmodes

•ꢀ Autoꢀrefreshꢀ(CBR)

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

200ꢀ

133ꢀ

ꢀ

•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀmsꢀ(Com,ꢀInd,ꢀA1ꢀ

grade)ꢀorꢀ16msꢀ(A2ꢀgrade)

166ꢀ

133ꢀ

143ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

5ꢀ

6ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ

operationsꢀcapability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ADDRESS TABLE

OPTIONS

Parameter

4M x 16

•ꢀ Package:ꢀꢀ

Conﬁguration

1M x 16 x 4

banks

54-pinꢀTSOPꢀIIꢀ

54-ballꢀFBGAꢀ(8mmꢀxꢀ8mm)

Refresh Count

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRangeꢀ

Commercialꢀ(0^oCꢀtoꢀ+70^oC)

Industrialꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+105^oC)

ꢀ

Com./Ind. 4K/64ms

A1 4K/64ms

A2 4K/16ms

Row Addresses

A0-A11

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A7

BA0, BA1

A10/AP

liabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀ

anyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀex-

pectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀ

Solution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com ꢀ

Rev. I

12/01/2011

12 3 4 5 6 7...59

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16400F-5BLI-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16400F-5BL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16400F-5TL	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400F-5TLI	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400F-5TLI-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16400F-6BL	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400F-6BLI	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400F-6BLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS42S16400F-6BL-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS42S16400F-6TL	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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