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IS41C16100C-50TI-TR

更新时间： 2024-02-08 01:45:11
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 508K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44,

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IS41C16100C-50TI-TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：8 weeks
风险等级：5.83最长访问时间：50 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44/50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
自我刷新：YES最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

IS41C16100C-50TI-TR 数据手册

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IS41C16100C  
IS41LV16100C  
1Mx16  
FEBRUARY 2012  
16Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE  
FEATURES  
DESCRIPTION  
•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinputsꢀandꢀoutputs;ꢀtristateꢀI/O  
TheꢀISSIꢀIS41C16100CꢀandꢀIS41LV16100Cꢀareꢀ1,048,576ꢀ  
xꢀ16-bitꢀhigh-performanceꢀCMOSꢀꢀDynamicꢀRandomꢀAc-  
cessꢀMemories.ꢀꢀTheseꢀdevicesꢀofferꢀaꢀcycleꢀaccessꢀcalledꢀ  
ExtendedꢀDataꢀOutꢀ(EDO)ꢀPageꢀMode.ꢀEDOꢀPageꢀModeꢀ  
allowsꢀ1,024ꢀrandomꢀaccessesꢀwithinꢀaꢀsingleꢀrowꢀwithꢀ  
accessꢀcycleꢀtimeꢀasꢀshortꢀasꢀ30ꢀnsꢀperꢀ16-bitꢀword.ꢀItꢀisꢀ  
asynchronous,ꢀasꢀitꢀdoesꢀnotꢀrequireꢀaꢀclockꢀsignalꢀinputꢀ  
toꢀsynchronizeꢀcommandsꢀandꢀI/O.  
•ꢀ RefreshꢀInterval:ꢀ  
ꢀ —ꢀ AutoꢀrefreshꢀMode:ꢀ1,024ꢀcyclesꢀ/16ꢀms  
ꢀ —ꢀ RAS-Only,ꢀCAS-before-RASꢀ(CBR),ꢀandꢀHidden  
ꢀ —ꢀ SelfꢀrefreshꢀMode:ꢀ1,024ꢀcyclesꢀ/128ꢀms  
•ꢀ JEDECꢀstandardꢀpinout  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply:ꢀꢀ  
5Vꢀ ꢀ10%ꢀ(IS41C16100C)ꢀ  
3.3Vꢀ ꢀ10%ꢀ(IS41LV16100C)  
TheseꢀfeaturesꢀmakeꢀtheꢀIS41C/41LV16100Cꢀideallyꢀsuitedꢀ  
forꢀhigh-bandwidthꢀgraphics,ꢀdigitalꢀsignalꢀprocessing,ꢀ  
high-performanceꢀ computingꢀ systems,ꢀ andꢀ peripheralꢀ  
applicationsꢀthatꢀrunꢀwithoutꢀaꢀclockꢀtoꢀsynchronizeꢀwithꢀ  
theꢀDRAM.  
•ꢀ ByteꢀWriteꢀandꢀByteꢀReadꢀoperationꢀviaꢀꢀtwoꢀCAS  
•ꢀ IndustrialꢀTemperatureꢀRange:ꢀꢀ-40oCꢀtoꢀ+85oC  
TheꢀIS41C/41LV16100Cꢀisꢀpackagedꢀinꢀaꢀ42-pinꢀ400-milꢀ  
SOJꢀandꢀ400-milꢀ50/44ꢀpinꢀTSOPꢀ(TypeꢀII).  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-50  
50ꢀ  
14ꢀ  
25ꢀ  
30ꢀ  
85ꢀ  
Unit  
ns  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Max.ꢀRASꢀAccessꢀTimeꢀ(trac)ꢀ  
Max.ꢀCASꢀAccessꢀTimeꢀ(tcac)ꢀ  
Max.ꢀColumnꢀAddressꢀAccessꢀTimeꢀ(taa)ꢀ  
Min.ꢀEDOꢀPageꢀModeꢀCycleꢀTimeꢀ(tpc)ꢀ  
Min.ꢀRead/WriteꢀCycleꢀTimeꢀ(trc)ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ns  
ns  
ns  
ns  
Copyrightꢀ©ꢀ2012ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀ  
notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-  
estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀex-  
pectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀ  
Solution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774 ꢀ  
1
Rev. C  
02/16/2012  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C16100C-50TLI ISSI

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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
IS41C16100S ICSI

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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16100S-45K ICSI

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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16100S-45KI ICSI

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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16100S-50T ISSI

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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

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