是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOJ, SOJ42,.44 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 8 weeks | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | EDO PAGE | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | CAS BEFORE RAS/SELF REFRESH/AUTO REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J42 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 27.305 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 42 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ42,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 3.76 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41C16100C-50TI-TR | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, |
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IS41C16100C-50TLI | ISSI |
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EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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IS41C16100S | ICSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-45K | ICSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-45KI | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-45T | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-45TI | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-50K | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-50KI | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C16100S-50T | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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