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IS25C02-2PI

更新时间： 2024-11-25 04:06:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
17页	134K
描述
2K-BIT/4K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM

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IS25C02-2PI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.88
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.325 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

IS25C02-2PI 数据手册

IS25C02

IS25C04

2K-BIT/4K-BIT SPI SERIAL

ELECTRICALLY ERASABLE PROM

ISSI

PreliminaryInformation

January2006

FEATURES

DESCRIPTION

TheIS25C02andIS25C04areelectricallyerasable

PROM devices that use the Serial Peripheral Interface

(SPI) for communications. The IS25C02 is 2Kbit

(256x 8) and the IS25C04 is 4Kbit (512x 8). The

IS25C02/04EEPROMsareofferedinawideoperating

voltage range of 1.8V to 5.5V to be compatible with

most application voltages. ISSI designed the IS25C02/

04 to be an efficient SPI EEPROM solution. The

• SerialPeripheralInterface(SPI)Compatible

— Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)

• Low-voltageOperation

— Vcc = 1.8V to 5.5V

• LowpowerCMOS

— Active current less than 3.0 mA (2.5V)

— Standby current less than 1 µA (2.5V)

• Block Write Protection

devices are packaged in 8-pin PDIP, 8-pin SOIC, and 8-

pin TSSOP.

— Protect 1/4, 1/2, or Entire Array

• 16 byte page write mode

— Partial page writes allowed

• 10 MHz Clock Rate (5V)

• Self timed write cycles

— 5 ms max. @ 2.5V

• High-reliability

— Endurance: 1 million cycles per byte

— Data retention: 100 years

• 8-pin PDIP, 8-pin SOIC, and 8-pin TSSOP packages

areavailable

The functional features of the IS25C02/04 allow them to

beamongthemostadvancedserialnon-volatilememo-

ries available. Each device has a Chip-Select (CS) pin,

and a 3-wire interface of Serial Data In (SI), Serial Data

Out (SO), and Serial Clock (SCK). While the 3-wire

interfaceoftheIS25C02/04providesforhigh-speed

access, a HOLD pin allows the memories to ignore the

interface in a suspended state; later the HOLD pin re-

activates communication without re-initializing the serial

sequence. A Status Register facilitates a flexible write

• Lead-freeavailable

protectionmechanism,andadevice-readybit(RDY).

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Preliminary Information Rev. 00F

12/22/05

12 3 4 5 6 7...17

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