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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ30 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLZ34 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLZ34 | NXP |
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N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
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| IRLZ34 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRLZ34_11 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLZ34-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLZ34-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLZ34-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLZ34-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLZ34-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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