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IRLZ24S

更新时间： 2024-11-29 11:10:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 313K
描述
Power MOSFET

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IRLZ24S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMD-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.04Is Samacsys：N
其他特性：FAST SWITCHING, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLZ24S 数据手册

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IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
• Surface Mount  
• Available in Tape and Reel  
60  
RDS(on) ()  
VGS = 5 V  
0.10  
• Dynamic dV/dt Rating  
Qg (Max.) (nC)  
18  
4.5  
• Logic-Level Gate Drive  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175°C Operating Temperature  
• Fast Switching  
12  
Configuration  
Single  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
DESCRIPTION  
D2PAK (TO-263)  
I2PAK (TO-262)  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
G
The D2PAK is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The  
D
S
D
S
G
S
D2PAK is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0 W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRLZ24L, SiHLZ24L) is available  
for low-profile application.  
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
I2PAK (TO-262)  
SiHLZ24L-GE3  
IRLZ24LPbF  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHLZ24S-GE3  
-
-
Lead (Pb)-free  
SiHLZ24L-E3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
60  
10  
V
TC = 25 °C  
17  
Continuous Drain Current  
VGS at 5 V  
ID  
TC = 100 °C  
12  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
68  
Linear Derating Factor  
0.40  
0.025  
110  
W/°C  
mJ  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
EAS  
PD  
T
C = 25 °C  
60  
W
TA = 25 °C  
3.7  
dV/dt  
4.5  
V/ns  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 444 μH, Rg = 25 , IAS = 17 A (see fig. 12).  
c. ISD 17 A, dI/dt 140 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material)  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90416  
S11-1044-Rev. C, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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IRLZ24S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLZ24SPBF VISHAY

完全替代

 TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN, FE
IRLZ24 VISHAY

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