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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ24S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLZ24S | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLZ24SPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRLZ24SPBF | VISHAY |
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TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN, FE |
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| IRLZ24STRL | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRLZ24STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRLZ30 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLZ34 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLZ34 | NXP |
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N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
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