是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.59 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 68 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLZ24PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLZ24PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLZ24S | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLZ24S | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLZ24SPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRLZ24SPBF | VISHAY |
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TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN, FE | |
IRLZ24STRL | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRLZ24STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRLZ30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |