5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRLZ24NSTRL
IRLZ24NSTRL PDF预览

IRLZ24NSTRL

更新时间： 2024-11-02 01:16:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 202K
描述
Advanced Process Technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLZ24NSTRL 数据手册

 浏览型号IRLZ24NSTRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLZ24NSTRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLZ24NSTRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLZ24NSTRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLZ24NSTRL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLZ24NSTRL的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91358E  
IRLZ24NS/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRLZ24NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRLZ24NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.06Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
Description  
ID = 18A  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
Thethrough-holeversion(IRLZ24NL)isavailableforlow-  
profileapplications.  
2
T O -262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
18  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
13  
A
72  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
45  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.30  
±16  
68  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
11  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
4.5  
5.0  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
–––  
5/12/98  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRLZ24NSTRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLZ24NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRLZ24NSTRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLZ24NSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ24NSTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ24NSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ24PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLZ24PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLZ24S VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLZ24S INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLZ24SPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLZ24SPBF VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN, FE

与IRLZ24NSTRL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证