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IRLZ24NS

更新时间： 2024-09-14 04:23:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 180K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLZ24NS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：68 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLZ24NS 数据手册

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PD - 91358E  
IRLZ24NS/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRLZ24NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRLZ24NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.06Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
Description  
ID = 18A  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
Thethrough-holeversion(IRLZ24NL)isavailableforlow-  
profileapplications.  
2
T O -262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
18  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
13  
A
72  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
45  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.30  
±16  
68  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
11  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
4.5  
5.0  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
–––  
5/12/98  
1234567...10

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