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IRLML2803PBF

更新时间： 2024-11-18 04:23:07
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 297K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLML2803PBF 数据手册

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PD - 94974A  
IRLML2803PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel MOSFET  
l SOT-23 Footprint  
D
VDSS = 30V  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape and Reel  
l Fast Switching  
G
RDS(on) = 0.25Ω  
S
l Lead-Free  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
Micro3  
A customized leadframe has been incorporated into the  
standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power  
MOSFET with the industry's smallest footprint. This  
package, dubbed the Micro3, is ideal for applications  
whereprintedcircuitboardspaceisatapremium. Thelow  
profile (<1.1mm) of the Micro3 allows it to fit easily into  
extremely thin application environments such as portable  
electronics and PCMCIA cards.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1.2  
Units  
A
I
I
I
@ T = 25°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ T = 70°C  
A
0.93  
7.3  
DM  
P
@T = 25°C  
A
540  
mW  
Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
4.3  
±20  
mW/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
3.9  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
Peak diode Recovery dv/dt  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
dv/dt  
V/ns  
°C  
T
T
-55 to + 150  
J , STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
230  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
04/16/07  
1234567...9

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IRLML2803PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MGSF1N03LT1G ONSEMI

功能相似

 单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V，2.1A，100 mΩ
IRLML2803TRPBF INFINEON

功能相似

 Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance
NTR4003NT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23

与IRLML2803PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLML2803PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML2803PBF-1_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML2803TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRLML2803TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLML2803TRPBF INFINEON

获取价格

 		Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance
IRLML5103 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.60ohm)
IRLML5103 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23
IRLML5103GPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRLML5103GTRPBF INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRLML5103PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET-R POWER MOSFET

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