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IRLML2502TRPBF-1

更新时间： 2024-11-20 21:03:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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Small Signal Field-Effect Transistor

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IRLML2502TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRLML2502TRPBF-1 数据手册

IRLML2502PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

0.045

8.0

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

4.2

(@T_A= 25°C)

Micro3™(SOT-23)

Features

Benefits

Industry-standard pinout SOT-23 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Base Part Number

Package Type

Micro3 (SOT-23)

Orderable Part Number

IRLML2502TRPbF-1

Form

Quantity

3000

IRLML2502TRPbF-1

Tape and Reel

™

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

4.2

3.4

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.25

0.8

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.01

± 12

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

100

°C/W

November 25, 2013

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLML2803	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
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IRLML2803GPBF_11	INFINEON	获取价格	Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance, N-Channel MOSFET
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IRLML2803PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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IRLML2803PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
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