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IRLML2502TR

更新时间： 2024-11-21 17:15:31

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	869K
描述
漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4.2A;栅极-源极阈值电压:1.2V @ 50uA;漏源导通电阻:45mΩ@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:1.25W;种类:N-Channel;漏源导通电阻:80mΩ@4.5V;Vgs(th)(V):±12

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IRLML2502TR 数据手册

UMW

UMW IRLML2502

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

UMW IRLML2502

I_D

SOT-23

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

4.5V

45m

4.2A

1. GATE

mΩ 2.5V

2. SOURCE

3. DRAIN

APPLICATION

FEATURE

TrenchFET Power MOSFET

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

Equivalent Circuit

Maximum ratings (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Value

Symbol

Parameter

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±12

Continuous Drain Current

4.2

Continuous Source-Drain Current(Diode Conduction)

Power Dissipation

I_S

0.6

P_D

1.25

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤5s)

Operating Junction

R_θJA

T_J

312.5

150

℃/W

℃

Storage Temperature

T_STG

-55 ~+150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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