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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, MICRO-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLML2502GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLML2502PBF | TYSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance SOT-23 Footprint N-Channel MOSFET Available in Tape and Reel |
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| IRLML2502PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLML2502PBF_12 | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance, N-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint |
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| IRLML2502PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques |
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| IRLML2502PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques |
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| IRLML2502TR | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRLML2502TR | UMW |
获取价格 |
漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4.2A;栅极-源极阈 |
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| IRLML2502TRPBF | TYSEMI |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLML2502TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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