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IRLML2402TR

更新时间： 2024-05-23 22:23:38

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	488K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1.2A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:mΩ@10V;漏源导通电阻:250mΩ@4.5V

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IRLML2402TR 数据手册

UMW

IRLML2402

−

N Channel MOSFET

Product summary

SOT-23

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

250

2.6

1.2

(@T_A= 25°C)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

1.2

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

0.95

7.4

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

540

4.3

mW/°C

Linear Derating Factor

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

5.0

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

230

Units

°C/W

R_θJA

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6

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