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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 857 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 175 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLIZ44G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRLIZ44G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLIZ44G_09 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLIZ44G-002PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLIZ44G-003 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLIZ44G-003PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLIZ44G-004 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLIZ44G-004PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLIZ44G-005 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLIZ44G-005PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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