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IRLIZ14G

更新时间： 2024-11-19 11:57:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1642K
描述
Power MOSFET

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IRLIZ14G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：68 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：27 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRLIZ14G 数据手册

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IRLIZ14G, SiHLIZ14G  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Isolated Package  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;  
f = 60 Hz)  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 5.0 V  
0.20  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
8.4  
3.5  
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm  
• Logic-Level Gate Drive  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• Fast Switching  
6.0  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
TO-220 FULLPAK  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The molding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab and  
external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100  
micron mica barrier with standard TO-220 product. The  
FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by  
a single screw fixing.  
S
N-Channel MOSFET  
S
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220 FULLPAK  
IRLIZ14GPbF  
SiHLIZ14G-E3  
IRLIZ14G  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHLIZ14G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
60  
10  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
8.0  
T
C = 25 °C  
Continuous Drain Current  
V
GS at 5.0 V  
ID  
5.7  
A
TC =100°C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
32  
0.18  
39.5  
27  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energyb  
W/°C  
mJ  
EAS  
PD  
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
W
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
4.5  
- 55 to + 175  
300d  
10  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 0.79 mH, RG = 25 Ω, IAS = 10 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91315  
S09-0896-Rev. B, 25-May-09  
www.vishay.com  
1
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IRLIZ14G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLIZ14GPBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET

与IRLIZ14G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLIZ14G_09 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRLIZ14G-002 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRLIZ14G-002PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRLIZ14G-003 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRLIZ14G-003PBF VISHAY

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