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IRLIB9343

更新时间： 2024-11-18 22:05:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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7页 190K
描述
DIGITAL AUDIO MOSFET

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IRLIB9343 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：190 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLIB9343 数据手册

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PD - 95852  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRLIB9343  
Features  
l Advanced Process Technology  
Key Parameters  
l Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
l Low RDSON for Improved Efficiency  
l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved  
Efficiency  
l Low Qrr for Better THD and Lower EMI  
l 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
VDS  
RDS(ON) typ. @ VGS = -10V  
DS(ON) typ. @ VGS = -4.5V  
-55  
V
m:  
m:  
nC  
°C  
93  
R
150  
31  
Qg typ.  
TJ max  
175  
l Repetitive Avalanche Capability for Robustness and  
Reliability  
D
G
S
TO-220 Full-Pak  
Description  
This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery  
and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD  
and EMI. Additional features of this MosFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability.  
These features combine to make this MosFET a highly efficient, robust and reliable device for Class-D audio amplifier  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
-55  
±20  
-14  
-10  
-60  
33  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current  
A
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
W
20  
Linear Derating Factor  
0.26  
W/°C  
°C  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
-40 to + 175  
TSTG  
lbf in (N m)  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
10 (1.1)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
3.84  
65  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
RθJC  
RθJA  
–––  
Notes  through ꢀare on page 7  
www.irf.com  
1
4/1/04  
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