IRL540S

更新时间： 2024-11-18 11:10:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
9页	275K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRL540S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.03
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRL540S 数据手册

IRL540S, SiHL540S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

100

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• 175 °C Operating Temperature

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

R_DS(on)()

V_GS= 5 V

0.077

Q_g(Max.) (nC)

9.4

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

D²PAK (TO-263)

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides

the highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK (TO-263) is suitable for high current applications

because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHL540S-GE3

IRL540SPbF

D²PAK (TO-263)

SiHL540STRL-GE3^a

IRL540STRLPbF^a

SiHL540STL-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHL540S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 5 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

Linear Derating Factor

I_DM

110

1.0

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

0.025

440

E_AS

I_AR

E_AR

Repetiitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

150

3.7

5.5

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

V/ns

°C

P_D

dV/dt

- 55 to + 175

300^d

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 841 μH, R_g= 25 , I_AS= 28 A (see fig. 12).

c. I_SD 28 A, dI/dt  170 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90386

S11-1045-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

IRL540S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRL540STRLPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRL540SPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRL540S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL540S, SiHL540S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL540SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL540STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL540STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL541	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-220AB
IRL5602S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL5602SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL5602STRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-263AB
IRL5602STRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-263AB
IRL5NJ024	INFINEON	获取价格	LOGIC LEVEL HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

与IRL540S相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRL540S

IRL540S 技术参数

IRL540S 数据手册

IRL540S 替代型号

与IRL540S相关器件

与IRL540S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRL540S

IRL540S 技术参数

IRL540S 数据手册

IRL540S 替代型号

与IRL540S相关器件

与IRL540S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？