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IRL3302-017

更新时间： 2024-10-01 19:48:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRL3302-017 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：39 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRL3302-017 数据手册

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PD 9.1696A  
IRL3302  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Optimized for 4.5V Gate Drive  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l 150°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 20V  
RDS(on) = 0.020W  
G
Description  
ID = 39A  
S
These HEXFET Power MOSFETs were designed  
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC  
converters in the PC environment. Advanced  
processing techniques combined with an optimized  
gate oxide design results in a die sized specifically to  
offer maximum cost.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220  
contribute to its wide acceptance throughout the  
industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
39  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
25  
A
160  
57  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.45  
± 10  
14  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
VGSM  
Gate-to-Source Voltage  
V
(Start Up Transient, tp = 100µs)  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
130  
mJ  
A
23  
5.7  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RqJC  
RqCS  
RqJA  
2.2  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
11/18/97  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL3302-017PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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