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IRKTF102-06EP

更新时间： 2024-01-22 09:22:41

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element,

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IRKTF102-06EP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	18 µs
配置：	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS	关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	600 mA	JESD-30 代码：	R-PUFM-X7
最大漏电流：	30 mA	通态非重复峰值电流：	3000 A
元件数量：	2	端子数量：	7
最大通态电流：	105000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	164.85 A
重复峰值关态漏电流最大值：	30000 µA	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRKTF102-06EPN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element
IRKTF102-06FJ	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2
IRKTF102-06FJN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element
IRKTF102-06FK	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85 A, 600 V, SCR
IRKTF102-06FKN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element
IRKTF102-06FP	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2
IRKTF102-06GJ	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|600V V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-06GK	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|600V V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-06GP	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|600V V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-06HJ	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|600V V(RRM)\|105A I(T)