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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKH162-10N | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 160000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| IRKH162-10PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, |
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| IRKH162-12 | INFINEON |
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THYRISTOR/DIODE and THYRISTOR/THYRISTOR |
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| IRKH162-12CJN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKH162-12CK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKH162-12CKN | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRKH162-12CLN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKH162-12CN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKH162-12CNN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKH162-12CPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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