Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY57034CMPBF

IRHY57034CMPBF

更新时间： 2024-01-20 01:18:40

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRHY57034CMPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-CSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHY57034CMPBF 数据手册

ꢁ

PD - 93825D

IRHY57034CM

JANSR2N7483T3

60V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-257AA)

REF: MIL-PRF-19500/702

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

IRHY57034CM 100K Rads (Si) 0.04Ω

IRHY53034CM 300K Rads (Si) 0.04Ω

IRHY54034CM 500K Rads (Si) 0.04Ω

QPL Part Number

18A* JANSR2N7483T3

18A* JANSF2N7483T3

18A* JANSG2N7483T3

IRHF58034CM 1000K Rads (Si) 0.048Ω 18A* JANSH2N7483T3

TO-257AA

International Rectifier’s R5^TMtechnology provides

high performance power MOSFETs for space

applications. These devices have been characterized

Features:

for Single Event Effects (SEE) with useful performance

up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm²)). The combination

of low RDS(on) and low gate charge reduces the power

losses in switching applications such as DC to DC

converters and motor control. These devices retain

all of the well established advantages of MOSFETs

such as voltage control, fast switching, ease of

paralleling and temperature stability of electrical

parameters.

Single Event Effect (SEE) Hardened

Ultra Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

18*

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

18*

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

0.6

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

±20

110

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

7.5

V/ns

dv/dt

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in./1.6mm from case for 10sec)

4.3 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

04/26/06

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与IRHY57034CMPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHY57034CMSCS	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRHY57034CMSCSPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRHY57130CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET	获取价格
IRHY57133CMSE	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格
IRHY57133CMSEPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 130V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRHY57230CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRHY57034CMPBF

IRHY57034CMPBF 技术参数

IRHY57034CMPBF 数据手册

与IRHY57034CMPBF相关器件

与IRHY57034CMPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRHY57034CMPBF

IRHY57034CMPBF 技术参数

IRHY57034CMPBF 数据手册

与IRHY57034CMPBF相关器件

与IRHY57034CMPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？