5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHNA57Z60SCS
IRHNA57Z60SCS PDF预览

IRHNA57Z60SCS

更新时间： 2024-11-06 14:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 105K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHNA57Z60SCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHNA57Z60SCS 数据手册

 浏览型号IRHNA57Z60SCS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHNA57Z60SCS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHNA57Z60SCS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHNA57Z60SCS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHNA57Z60SCS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHNA57Z60SCS的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91787E  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHNA57Z60  
30V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035Ω 75*A  
IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035Ω 75*A  
IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035Ω 75*A  
IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040Ω 75*A  
SMD-2  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
of low R  
and low gate charge reduces the power  
DS(on)  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
75*  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
300  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.4  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
30  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
0.83  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by internal wire diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/10/00  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHNA57Z60SCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNA57Z60SCSPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHNA58064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA58064PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHNA58160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA58160PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHNA58260 INFINEON

获取价格

 		200V, N-CHANNEL
IRHNA58Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHNA58Z60PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHNA593064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA593064SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

与IRHNA57Z60SCS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证