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IRHN7254SE

更新时间: 2024-11-04 21:06:31
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页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRHN7254SE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (ID):23 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-CBCC-N3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRHN7254SE 数据手册

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