5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHM8Z60PBF
IRHM8Z60PBF PDF预览

IRHM8Z60PBF

更新时间： 2024-09-23 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 124K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHM8Z60PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM8Z60PBF 数据手册

 浏览型号IRHM8Z60PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHM8Z60PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHM8Z60PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHM8Z60PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHM8Z60PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHM8Z60PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91701B  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM7Z60  
30V, N-CHANNEL  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
IRHM7Z60  
IRHM3Z60  
IRHM4Z60  
IRHM8Z60  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.014Ω 35*A  
0.014Ω 35*A  
0.014Ω 35*A  
1000K Rads (Si) 0.014Ω 35*A  
TO-254AA  
Features:  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
140  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
0.35  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical )  
For footnotes refer to the last page  
*Current is limited by internal wire diameter  
www.irf.com  
1
12/20/01  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHM8Z60PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM9064 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-35*A)
IRHM9064D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHM9064SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064UPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9130 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET / 100V, P-CHANNEL
IRHM9130D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR
IRHM9130U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR

与IRHM8Z60PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证