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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHM8Z60
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IRHM8Z60

更新时间： 2024-09-22 22:25:15
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 124K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRHM8Z60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHM8Z60 数据手册

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PD - 91701B  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM7Z60  
30V, N-CHANNEL  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
IRHM7Z60  
IRHM3Z60  
IRHM4Z60  
IRHM8Z60  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.014Ω 35*A  
0.014Ω 35*A  
0.014Ω 35*A  
1000K Rads (Si) 0.014Ω 35*A  
TO-254AA  
Features:  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
140  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
0.35  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical )  
For footnotes refer to the last page  
*Current is limited by internal wire diameter  
www.irf.com  
1
12/20/01  
12345678

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与IRHM8Z60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM8Z60PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM9064 INFINEON

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 		TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-35*A)
IRHM9064D INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHM9064SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9064UPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHM9130 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET / 100V, P-CHANNEL
IRHM9130D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR

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