5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHM8064
IRHM8064 PDF预览

IRHM8064

更新时间： 2024-09-22 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHM8064 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
其他特性：AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-CSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM8064 数据手册

 浏览型号IRHM8064的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHM8064的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHM8064的Datasheet PDF文件第4页 
Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.1564  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED  
HEXFET® TRANSISTOR  
IRHM7064  
IRHM8064  
N-CHANNEL  
MEGA RAD HARD  
60 Volt, 0.021Ω, MEGA RAD HARD HEXFET Product Summary  
Part Number  
IRHM7064  
IRHM8064  
BVDSS  
60V  
RDS(on)  
0.021Ω  
0.021Ω  
ID  
International Rectifier’s RAD HARD technology HEXFETs  
demonstrate virtual immunity to SEE failure.Addition-  
ally, underidenticalpre- and post-radiation test condi-  
tions, International Rectifier’s RAD HARD HEXFETs  
retainidenticalelectrical specifications up to 1 x 105 Rads  
(Si) total dose. No compensation in gate drive circuitry is  
required. These devices are also capable of surviving  
transient ionization pulses as high as 1 x 1012 Rads (Si)/  
Sec, and return to normal operation within a few micro-  
seconds. Since the RAD HARD process utilizes Interna-  
tional Rectifier’s patented HEXFET technology, the user  
can expect the highest quality and reliability in the indus-  
try.  
35A*  
35A*  
60V  
Features:  
■ Radiation Hardened up to 1 x 106 Rads (Si)  
■ Single Event Burnout (SEB) Hardened  
■ Single Event Gate Rupture (SEGR) Hardened  
■ Gamma Dot (Flash X-Ray) Hardened  
■ Neutron Tolerant  
■ Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
■ Repetitive Avalanche Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
■ Electrically Isolated  
■ Ceramic Eyelets  
RADHARDHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-  
establishedadvantagesofMOSFETs, suchasvoltagecon-  
trol, veryfastswitching, easeofparallelingandtemperature  
stability of the electrical parameters.  
They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, chop-  
pers, audio amplifiers and high-energy pulse circuits  
in space and weapons environments.  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Radiation  
Parameter  
IRHM7064, IRHM8064  
Units  
I
D
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
GS  
C
A
I
@ V  
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current➀  
Max. Power Dissipation  
284  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/K ➄  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single PulseAvalanche Energy ➁  
Avalanche Current➀  
±20  
GS  
E
AS  
500  
mJ  
I
35  
A
AR  
E
RepetitiveAvalanche Energy➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
25  
mJ  
AR  
dv/dt  
4.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
T
STG  
StorageTemperature Range  
LeadTemperature  
Weight  
300 (0.063 in (1.6mm) from case for 10 sec.)  
9.3 (typical)  
g
To Order  
Notes: See page 4  
*Current is limited by pin diameter  
 
 
1234

中文翻译

下载PDF

与IRHM8064相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM8064D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM8064DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM8064U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM8130 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM8130D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254VAR
IRHM8130DPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHM8130U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254VAR
IRHM8130UPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHM8150 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM8150D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRHM8064相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证