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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHM7254SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRHM7260 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE(T0-254AA) |
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| IRHM7260D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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| IRHM7260SESCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHM7260SESCSPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHM7260U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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| IRHM7264SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.087ohm, Id=35A*) |
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| IRHM7264SED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHM7264SEPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHM7264SESCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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