5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHM3450
IRHM3450 PDF预览

IRHM3450

更新时间： 2024-11-05 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 299K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHM3450 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.39雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-CSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM3450 数据手册

 浏览型号IRHM3450的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHM3450的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHM3450的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHM3450的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHM3450的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHM3450的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 90673B  
IRHM7450  
JANSR2N7270  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
500V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/603  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
JANSR2N7270  
JANSF2N7270  
JANSG2N7270  
IRHM7450  
IRHM3450  
IRHM4450  
IRHM8450  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
500K Rads (Si)  
1000K Rads (Si)  
0.45Ω  
0.45Ω  
0.45Ω  
0.45Ω  
11A  
11A  
11A  
11A  
JANSH2N7270  
TO-254AA  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®  
technology provides high performance power  
MOSFETs for space applications. This technology  
has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have  
been characterized for both Total Dose and Single  
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson  
and low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
11  
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
7.0  
44  
D
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
05/18/06  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与IRHM3450相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM3Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRHM4054 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRHM4054D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHM4054DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHM4054PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHM4054U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHM4054UPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHM4064D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM4064DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM4064U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRHM3450相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证