5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFZ44ZSTRRPBF
IRFZ44ZSTRRPBF PDF预览

IRFZ44ZSTRRPBF

更新时间： 2024-09-14 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 388K
描述
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFZ44ZSTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.55Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：86 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A
最大漏极电流 (ID)：51 A最大漏源导通电阻：0.0139 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ44ZSTRRPBF 数据手册

 浏览型号IRFZ44ZSTRRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ44ZSTRRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ44ZSTRRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ44ZSTRRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ44ZSTRRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ44ZSTRRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95379A  
IRFZ44ZPbF  
IRFZ44ZSPbF  
Features  
Advanced Process Technology  
IRFZ44ZLPbF  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
HEXFET® Power MOSFET  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 13.9mΩ  
G
Description  
ID = 51A  
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea.Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating. These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
S
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFZ44ZPbF  
IRFZ44ZSPbF IRFZ44ZLPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
51  
Units  
A
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
36  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
Pulsed Drain Current  
200  
80  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
86  
105  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
AS (tested)  
IAR  
EAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.87  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
09/21/10  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRFZ44ZSTRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44ZSPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ44VZSPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) =

与IRFZ44ZSTRRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ45 SAMSUNG

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFZ45-001 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-002 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-002PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-003 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-003PBF INFINEON

获取价格

 		50A, 60V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFZ45-005 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-006PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-009 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-010 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRFZ44ZSTRRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证