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IRFZ34AJ69Z

更新时间： 2024-11-02 20:10:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	228K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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IRFZ34AJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	雪崩能效等级（Eas）：	463 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFZ34AJ69Z 数据手册

IRFZ34A

FEATURES

BV_DSS= 60 V

R_DS(on)= 0.04Ω

I_D= 30 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220

175 C Operating Temperature

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 60V

Lower R_DS(ON): 0.030 (Typ.)

Ω

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

21.2

120

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

463

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

7.7

5.5

V/ns

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.52

W/°C

Operating Junction and

- 55 to +175

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

°C

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

1.94

Units

0.5

R_θCS

°C/W

R_θJA

62.5

Junction-to-Ambient

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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