是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFZ34-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFZ34A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB | |
IRFZ34AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFZ34E | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRFZ34EPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFZ34F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IRFZ34FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IRFZ34L | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFZ34L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFZ34LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |