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IRFZ34-030PBF

更新时间: 2024-11-02 20:10:27
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英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRFZ34-030PBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.56Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):200 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFZ34-030PBF 数据手册

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