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IRFY130CM

更新时间： 2024-11-19 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 301K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14.4A)

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IRFY130CM 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：69 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14.4 A最大漏极电流 (ID)：14.4 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：57.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFY130CM 数据手册

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Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD 9.1286C  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFY130CM  
N-CHANNEL  
100 Volt, 0.18Ω HEXFET  
Product Summary  
HEXFET technology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors. The effi-  
cient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance.  
Part Number  
BV  
R
I
D
DSS  
DS(on)  
IRFY130CM  
100V  
0.18Ω  
14.4A  
HEXFET transistors also feature all of the well-estab-  
lished advantages of MOSFETs, such as voltage con-  
trol, very fast switching, ease of paralleling and electri-  
cal parameter temperature stability.They are well-suited  
for applications such as switching power supplies, mo-  
tor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high  
energy pulse circuits, and virtually any application where  
high reliability is required.  
Features  
n Hermetically sealed  
n Electrically isolated  
n Simple drive requirements  
n Ease of paralleling  
n Ceramic eyelets  
The HEXFET transistor’s totally isolated package elimi-  
nates the need for additional isolating material between  
the device and the heatsink.This improves thermal effi-  
ciency and reduces drain capacitance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
IRFY130CM  
Units  
I
I
I
@ V =10V, T = 25°C  
GS  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Max.Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-SourceVoltage  
14.4  
9.1  
D
C
@ V =10V, T = 100°C  
GS  
A
D
C
57.6  
75  
DM  
P
@T = 25°C  
W
W/Kꢀ  
V
D
C
0.6  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalance Energy ‚  
Avalance Current   
69  
14.4  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
T
-55 to 150  
J
Storage Temperature Range  
°C  
g
stg  
LeadTemperature  
Weight  
300 (0.063 in (1.6mm) from case for 10 sec)  
4.3(typical)  
*I current limited by pin diameter  
D
To Order  
 
 
123456

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