5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.81 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 685045 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | IPAK (TO-251AA) |
| Samacsys Released Date： | 2018-09-16 21:43:13 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR5505TRLPBF | INFINEON |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR5505PBF | INFINEON |
完全替代 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFU5505 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU6215 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
|
| IRFU6215PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFU6215PBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFU7440PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET |
|
| IRFU9010 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFU9010 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFU9010PBF | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
|
| IRFU9012 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFU9012 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3, FET General |
|
| IRFU9012PBF | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
