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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.91 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 194 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.205 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 66 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU5410 | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU5505 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFU5505 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A) |
|
| IRFU5505GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFU5505HR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFU5505PBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-RESISTANCE |
|
| IRFU5505PBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFU6215 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
|
| IRFU6215PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFU6215PBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFU7440PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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