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IRFU5410

更新时间： 2024-11-17 22:18:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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10页 214K
描述
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

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IRFU5410 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：PLASTIC, IPAK-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.77其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：194 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.205 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFU5410 数据手册

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PD - 9.1533A  
IRFR/U5410  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
l Surface Mount (IRFR5410)  
l Straight Lead (IRFU5410)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = -100V  
RDS(on) = 0.205W  
ID = -13A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
known for, provides the designer with an extremely efficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
D-Pak  
I-Pak  
TO-251AA  
TO-252AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting  
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are  
possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-13  
-8.2  
-52  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
66  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
194  
-8.4  
6.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
-5.0  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
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IRFU5410 替代型号

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