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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU222 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-251AA |
|
| IRFU224 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A) |
|
| IRFU224 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU224 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU224A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-251AA |
|
| IRFU224ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFU224B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFU224BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFU224PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU224PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
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