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IRFR9N20DTRRPBF

更新时间： 2024-11-24 21:22:19

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR9N20DTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	9.4 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR9N20DTRRPBF 数据手册

PD - 95376A

IRFR9N20DPbF

IRFU9N20DPbF

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

l Lead-Free

200V

0.38Ω

9.4A

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

I-Pak

IRFR9N20D

IRFU9N20D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

9.4

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

6.7

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.57

± 30

5.0

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Typical SMPS Topologies

l Telecom 48V input Forward Converter

Notes through are on page 10

www.irf.com

12/06/04

12 3 4 5 6 7...11

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